IXFT4N100Q

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IXFT4N100Q

EXSHINE Artikelnummer:EX-IXFT4N100Q
Hersteller Artikelnummer:IXFT4N100Q
Hersteller / Marke:IXYS Corporation
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IXF(H,T)4N100Q
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IXFT4N100Q
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-268
Serie HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max) 150W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer IXFT4N100Q
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-268
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V (1kV)
Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)

Andere

Standardpaket 30

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Distributor von IXYS

- IXYS Integrated Circuits Division, ehemals Clare, Inc., ein Unternehmen der IXYS, entwickelt, fertigt und vermarktet integrierte Hochspannungsschaltkreise (ICs) und optisch isolierte Halbleiterrelais (OptoMOS®) für Kommunikation, Industrie, Energie und Verbraucher Märkte.
Als Vorreiter bei der Entwicklung von Halbleiterrelais (Solid State Relays, SSR) haben sie sich zu einem führenden Anbieter in den Branchen Telekommunikation, Sicherheit, Versorgungsmessung und Industriesteuerung entwickelt. IXYS Integrated Circuits Division SSR-Lösungen ersetzen in vielen Anwendungen schnell ältere elektromechanische Geräte und verbessern die Gesamtsystemleistung. Sie entwickeln weiterhin führende Produkte, die ein höheres Maß an Integration und elektrischer Leistung bieten.

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