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64-0007
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-64-0007 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | 64-0007 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IRF640N |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
64-0007
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 11A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Andere Namen | *IRF640N IRF640N IRF640N-ND SP001522470 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | 64-0007 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 200V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
Andere
| Andere Namen | *IRF640N IRF640N IRF640N-ND SP001522470 |
|---|---|
| Standardpaket | 50 |
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