BSC090N03LSGATMA1

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EXSHINE Artikelnummer:	EX-BSC090N03LSGATMA1
Hersteller Artikelnummer:	BSC090N03LSGATMA1
Hersteller / Marke:	Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:	New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:	BSC090N03LS G
Anwendung:	-
Gewicht:	-
Alternativer Ersatz:	-

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BSC090N03LSGATMA1
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TDSON-8
Serie	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 32W (Tc)
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Andere Namen	BSC090N03LS G BSC090N03LSG BSC090N03LSGINTR BSC090N03LSGINTR-ND BSC090N03LSGXT SP000275115
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	16 Weeks
Hersteller-Teilenummer	BSC090N03LSGATMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Expanded Beschreibung	N-Channel 30V 13A (Ta), 48A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	13A (Ta), 48A (Tc)

Andere

Andere Namen	BSC090N03LS G BSC090N03LSG BSC090N03LSGINTR BSC090N03LSGINTR-ND BSC090N03LSGXT SP000275115
Standardpaket	5,000

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