BSC16DN25NS3 G

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BSC16DN25NS3 G

EXSHINE Artikelnummer:EX-BSC16DN25NS3 G
Hersteller Artikelnummer:BSC16DN25NS3 G
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:BSC16DN25NS3G
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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BSC16DN25NS3 G
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 32µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8
Serie OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max) 62.5W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Andere Namen BSC16DN25NS3G
BSC16DN25NS3GATMA1
BSC16DN25NS3GTR
SP000781782
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks
Hersteller-Teilenummer BSC16DN25NS3 G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.4nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 250V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.9A (Tc)

Andere

Standardpaket 5,000
Andere Namen BSC16DN25NS3G

BSC16DN25NS3GATMA1

BSC16DN25NS3GTR

SP000781782

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