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BSO211PNTMA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-BSO211PNTMA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | BSO211PNTMA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | BSO211P |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
BSO211PNTMA1
Auf Lager: 18055000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | P-DSO-8 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Leistung - max | 2W |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | BSO211PINCT |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | BSO211PNTMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.9nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A 2W Surface Mount P-DSO-8 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.7A |
Andere
| Andere Namen | BSO211PINCT |
|---|---|
| Standardpaket | 1 |
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