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BSO615N G
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-BSO615N G |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | BSO615N G |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | BSO 615NG |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
BSO615N G
Auf Lager: 59667000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | PG-DSO-8 |
| Serie | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Leistung - max | 2W |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | BSO615NGINDKR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | BSO615N G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.6A |
Andere
| Standardpaket | 1 |
|---|---|
| Andere Namen | BSO615NGINDKR |
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