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BSP299L6327HUSA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-BSP299L6327HUSA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | BSP299L6327HUSA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | BSP299 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
BSP299L6327HUSA1
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT223-4 |
| Serie | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.8W (Ta) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
| Andere Namen | BSP299 L6327 BSP299 L6327-ND BSP299 L6327TR-ND BSP299L6327XT SP000089200 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Hersteller-Teilenummer | BSP299L6327HUSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 500V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 400mA (Ta) |
Andere
| Standardpaket | 1,000 |
|---|---|
| Andere Namen | BSP299 L6327 BSP299 L6327-ND BSP299 L6327TR-ND BSP299L6327XT SP000089200 |
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