BSZ100N03LSGATMA1

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BSZ100N03LSGATMA1

EXSHINE Artikelnummer:EX-BSZ100N03LSGATMA1
Hersteller Artikelnummer:BSZ100N03LSGATMA1
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:BSZ100N03LS G
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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BSZ100N03LSGATMA1
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8
Serie OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Andere Namen BSZ100N03LS G
BSZ100N03LSG
BSZ100N03LSGINTR
BSZ100N03LSGINTR-ND
BSZ100N03LSGXT
SP000304135
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Hersteller-Teilenummer BSZ100N03LSGATMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 30V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 40A (Tc)

Andere

Standardpaket 5,000
Andere Namen BSZ100N03LS G

BSZ100N03LSG

BSZ100N03LSGINTR

BSZ100N03LSGINTR-ND

BSZ100N03LSGXT

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