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BSZ15DC02KDHXTMA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-BSZ15DC02KDHXTMA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | BSZ15DC02KDH |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
BSZ15DC02KDHXTMA1
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 110µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TSDSON-8-FL |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Leistung - max | 2.5W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen | BSZ15DC02KDHXTMA1-ND BSZ15DC02KDHXTMA1TR SP000961028 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 419pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Typ FET | N and P-Channel Complementary |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.1A, 3.2A |
Andere
| Standardpaket | 5,000 |
|---|---|
| Andere Namen | BSZ15DC02KDHXTMA1-ND BSZ15DC02KDHXTMA1TR SP000961028 |
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