BTS282Z E3230

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BTS282Z E3230

EXSHINE Artikelnummer:EX-BTS282Z E3230
Hersteller Artikelnummer:BTS282Z E3230
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:BTS282Z
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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BTS282Z E3230
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-7-230
Serie TEMPFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 36A, 10V
Verlustleistung (max) 300W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-7
Andere Namen BTS282ZE3230
BTS282ZE3230AKSA1
BTS282ZE3230NK
SP000012357
SP000457996
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer BTS282Z E3230
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal Temperature Sensing Diode
Expanded Beschreibung N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-7-230
Drain-Source-Spannung (Vdss) 49V
Beschreibung MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)

Andere

Andere Namen BTS282ZE3230

BTS282ZE3230AKSA1

BTS282ZE3230NK

SP000012357

SP000457996
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