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IPA093N06N3GXKSA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPA093N06N3GXKSA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPA093N06N3GXKSA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IPA093N06N3 G |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPA093N06N3GXKSA1
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-31 Full Pack |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 40A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 33W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Andere Namen | IPA093N06N3 G IPA093N06N3 G-ND IPA093N06N3G SP000451088 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 14 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | IPA093N06N3GXKSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 60V 43A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31 Full Pack |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 43A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 50 |
|---|---|
| Andere Namen | IPA093N06N3 G IPA093N06N3 G-ND IPA093N06N3G SP000451088 |
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