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IPB160N04S3H2ATMA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPB160N04S3H2ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPB160N04S3H2ATMA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IPB160N04S3-H2 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPB160N04S3H2ATMA1
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-7-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 214W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Andere Namen | IPB160N04S3-H2 IPB160N04S3-H2-ND IPB160N04S3-H2TR IPB160N04S3-H2TR-ND IPB160N04S3H2 SP000254818 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | IPB160N04S3H2ATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 40V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 160A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 1,000 |
|---|---|
| Andere Namen | IPB160N04S3-H2 IPB160N04S3-H2-ND IPB160N04S3-H2TR IPB160N04S3-H2TR-ND IPB160N04S3H2 SP000254818 |
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