IPB64N25S320ATMA1

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IPB64N25S320ATMA1

EXSHINE Artikelnummer:EX-IPB64N25S320ATMA1
Hersteller Artikelnummer:IPB64N25S320ATMA1
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IPB64N25S3-20
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
IPB64N25S320ATMA1
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2
Serie OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 64A, 10V
Verlustleistung (max) 300W (Tc)
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen IPB64N25S320ATMA1DKR
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks
Hersteller-Teilenummer IPB64N25S320ATMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 250V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)

Andere

Andere Namen IPB64N25S320ATMA1DKR
Standardpaket 1

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