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IPD096N08N3GBTMA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPD096N08N3GBTMA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPD096N08N3GBTMA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IPD096N08N3 G |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPD096N08N3GBTMA1
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 46A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 100W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen | IPD096N08N3 G IPD096N08N3 G-ND SP000474196 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | IPD096N08N3GBTMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 80V 73A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 73A (Tc) |
Andere
| Andere Namen | IPD096N08N3 G IPD096N08N3 G-ND SP000474196 |
|---|---|
| Standardpaket | 2,500 |
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