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IPD50R500CEBTMA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPD50R500CEBTMA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPD50R500CEBTMA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | 500V CoolMOS CE BriefIPD50R500CE Datasheet |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPD50R500CEBTMA1
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
| Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 2.3A, 13V |
| Verlustleistung (max) | 57W (Tc) |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen | IPD50R500CEINDKR IPD50R500CEINDKR-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | IPD50R500CEBTMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 433pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | Super Junction |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 500V 7.6A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.6A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 1 |
|---|---|
| Andere Namen | IPD50R500CEINDKR IPD50R500CEINDKR-ND |
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