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IPD50R950CEATMA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPD50R950CEATMA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPD50R950CEATMA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | 500V CoolMOS CE BriefIPD50R950CE, IPU50R950CE |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPD50R950CEATMA1
Auf Lager: 11398 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
| Serie | CoolMOS™ CE |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
| Verlustleistung (max) | 53W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen | IPD50R950CEATMA1-ND IPD50R950CEATMA1TR SP001117712 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Hersteller-Teilenummer | IPD50R950CEATMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 231pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 500V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 2,500 |
|---|---|
| Andere Namen | IPD50R950CEATMA1-ND IPD50R950CEATMA1TR SP001117712 |
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