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IPD65R650CEAUMA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPD65R650CEAUMA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPD65R650CEAUMA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 7A TO-252 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IPD65R650CE, IPA65R650CE |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPD65R650CEAUMA1
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
| Serie | CoolMOS™ CE |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 86W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen | SP001396908 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 6 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | IPD65R650CEAUMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 650V 7A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7A TO-252 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 2,500 |
|---|---|
| Andere Namen | SP001396908 |
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