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IPG20N06S4L11ATMA1

EXSHINE Artikelnummer:EX-IPG20N06S4L11ATMA1
Hersteller Artikelnummer:IPG20N06S4L11ATMA1
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IPG20N06S4L-11
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IPG20N06S4L11ATMA1
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 28µA
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.2 mOhm @ 17A, 10V
Leistung - max 65W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN
Andere Namen SP000705550
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 26 Weeks
Hersteller-Teilenummer IPG20N06S4L11ATMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4020pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 8TDSON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A

Andere

Standardpaket 5,000
Andere Namen SP000705550

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