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IPI65R190C6XKSA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPI65R190C6XKSA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPI65R190C6XKSA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IPx65R190C6 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPI65R190C6XKSA1
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO262-3 |
| Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 151W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen | IPI65R190C6 IPI65R190C6-ND SP000863900 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | IPI65R190C6XKSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Andere
| Andere Namen | IPI65R190C6 IPI65R190C6-ND SP000863900 |
|---|---|
| Standardpaket | 500 |
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