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IPP072N10N3GHKSA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPP072N10N3GHKSA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPP072N10N3GHKSA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IPP072N10N3 G, IPI072N10N3 G |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPP072N10N3GHKSA1
Auf Lager: 12862 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO-220-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Andere Namen | SP000469896 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | IPP072N10N3GHKSA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4910pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 100V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 500 |
|---|---|
| Andere Namen | SP000469896 |
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