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IPS04N03LA G
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPS04N03LA G |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPS04N03LA G |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 50A IPAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IP(D,F,S,U)04N03LA G |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPS04N03LA G
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO251-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 115W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Andere Namen | IPS04N03LAGX SP000016330 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Hersteller-Teilenummer | IPS04N03LA G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5199pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 25V 50A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 50A IPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 1,500 |
|---|---|
| Andere Namen | IPS04N03LAGX SP000016330 |
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