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IPT60R028G7XTMA1
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IPT60R028G7XTMA1 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IPT60R028G7XTMA1 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 75A HSOF-8 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IPT60R028G7 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IPT60R028G7XTMA1
Auf Lager: 36110 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.44mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-HSOF-8 |
| Serie | CoolMOS™ G7 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 28.8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 391W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerSFN |
| Andere Namen | SP001579312 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | IPT60R028G7XTMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4820pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 650V 75A (Tc) 391W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 75A HSOF-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Andere
| Andere Namen | SP001579312 |
|---|---|
| Standardpaket | 2,000 |
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