IPU135N03L G

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IPU135N03L G

EXSHINE Artikelnummer:EX-IPU135N03L G
Hersteller Artikelnummer:IPU135N03L G
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IPD135N03L G
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IPU135N03L G
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO251-3
Serie OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max) 31W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen IPU135N03LGIN
IPU135N03LGXK
SP000260752
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer IPU135N03L G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 30V 30A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)

Andere

Standardpaket 1,500
Andere Namen IPU135N03LGIN

IPU135N03LGXK

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