IPU80R4K5P7AKMA1

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IPU80R4K5P7AKMA1

EXSHINE Artikelnummer:EX-IPU80R4K5P7AKMA1
Hersteller Artikelnummer:IPU80R4K5P7AKMA1
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IPU80R4K5P7
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IPU80R4K5P7AKMA1
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO251-3
Serie CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Verlustleistung (max) 13W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen SP001422748
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Hersteller-Teilenummer IPU80R4K5P7AKMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal Super Junction
Expanded Beschreibung N-Channel 800V 1.5A (Tc) 13W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Tc)

Andere

Andere Namen SP001422748
Standardpaket 1,500

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