IRF1010EZPBF

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IRF1010EZPBF

EXSHINE Artikelnummer:EX-IRF1010EZPBF
Hersteller Artikelnummer:IRF1010EZPBF
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IRF1010EZ (S,L) PbF
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IRF1010EZPBF
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB
Serie HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 51A, 10V
Verlustleistung (max) 140W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3
Andere Namen *IRF1010EZPBF
SP001571244
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks
Hersteller-Teilenummer IRF1010EZPBF
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2810pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 60V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)

Andere

Andere Namen *IRF1010EZPBF

SP001571244
Standardpaket 50

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