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IRF6645
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IRF6645 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IRF6645 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IRF6645 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IRF6645
Auf Lager: 43799 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET™ SJ |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 42W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric SJ |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Hersteller-Teilenummer | IRF6645 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 100V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 4,800 |
|---|
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