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IRF6810STRPBF
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IRF6810STRPBF |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IRF6810STRPBF |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N CH 25V 16A S1 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IRF6810STR (1) PBF |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IRF6810STRPBF
Auf Lager: 40157000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DIRECTFET S1 |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 16A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | DirectFET™ Isometric S1 |
| Andere Namen | IRF6810STRPBF-ND IRF6810STRPBFTR SP001530834 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | IRF6810STRPBF |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1038pF @ 13V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 25V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Beschreibung | MOSFET N CH 25V 16A S1 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16A (Ta), 50A (Tc) |
Andere
| Andere Namen | IRF6810STRPBF-ND IRF6810STRPBFTR SP001530834 |
|---|---|
| Standardpaket | 4,800 |
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