IRF7902PBF

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IRF7902PBF

EXSHINE Artikelnummer:EX-IRF7902PBF
Hersteller Artikelnummer:IRF7902PBF
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IRF7902PbF
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IRF7902PBF
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Leistung - max 1.4W, 2W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen SP001566344
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer IRF7902PBF
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.4A, 9.7A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.4A, 9.7A

Andere

Standardpaket 95
Andere Namen SP001566344

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