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IRF8707PBF
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IRF8707PBF |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IRF8707PBF |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IRF8707PbF |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IRF8707PBF
Auf Lager: 92387 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9 mOhm @ 11A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | SP001560112 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | IRF8707PBF |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta) |
Andere
| Andere Namen | SP001560112 |
|---|---|
| Standardpaket | 95 |
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