IRF9910

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IRF9910

EXSHINE Artikelnummer:EX-IRF9910
Hersteller Artikelnummer:IRF9910
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS nicht konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IRF9910
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IRF9910
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SO
Serie HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4 mOhm @ 10A, 10V
Leistung - max 2W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen *IRF9910
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer IRF9910
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A, 12A

Andere

Andere Namen *IRF9910
Standardpaket 95

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