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IRFH5215TR2PBF
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IRFH5215TR2PBF |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IRFH5215TR2PBF |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IRFH5215PBF |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IRFH5215TR2PBF
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Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PQFN (5x6) |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 16A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | 8-VQFN Exposed Pad |
| Andere Namen | IRFH5215TR2PBFDKR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | IRFH5215TR2PBF |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5A (Ta), 27A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 1 |
|---|---|
| Andere Namen | IRFH5215TR2PBFDKR |
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