IRFS4310TRRPBF

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IRFS4310TRRPBF

EXSHINE Artikelnummer:EX-IRFS4310TRRPBF
Hersteller Artikelnummer:IRFS4310TRRPBF
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IRFB4310PbF, IRFS(L)4310PbF
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IRFS4310TRRPBF
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK
Serie HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max) 300W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen SP001557384
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer IRFS4310TRRPBF
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7670pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 100V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)

Andere

Standardpaket 800
Andere Namen SP001557384

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