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IRLBD59N04ETRLP
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-IRLBD59N04ETRLP |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | IRLBD59N04ETRLP |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | IRLBD59N04E |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
IRLBD59N04ETRLP
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Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-263-5 |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 35A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 130W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | IRLBD59N04ETRLP |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2190pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 5V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 40V 59A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263-5 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 59A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 800 |
|---|
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