IRLU3636PBF

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IRLU3636PBF

EXSHINE Artikelnummer:EX-IRLU3636PBF
Hersteller Artikelnummer:IRLU3636PBF
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:IRL(R,U)3636PBF
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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IRLU3636PBF
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-Pak
Serie HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max) 143W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen SP001567320
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer IRLU3636PBF
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3779pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 4.5V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 60V 50A (Tc) 143W (Tc) Through Hole I-Pak
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)

Andere

Standardpaket 75
Andere Namen SP001567320

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