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SPB10N10L G
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-SPB10N10L G |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | SPB10N10L G |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | SPB10N10L |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
SPB10N10L G
Auf Lager: 96231 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 21µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 154 mOhm @ 8.1A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 50W (Tc) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen | SP000102169 SPB10N10L G-ND SPB10N10LGINTR SPB10N10LGXT |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | SPB10N10L G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 444pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10.3A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 1,000 |
|---|---|
| Andere Namen | SP000102169 SPB10N10L G-ND SPB10N10LGINTR SPB10N10LGXT |
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