SPB17N80C3

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SPB17N80C3

EXSHINE Artikelnummer:EX-SPB17N80C3
Hersteller Artikelnummer:SPB17N80C3
Hersteller / Marke:Infineon Technologies
Kurze Beschreibung:MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:SPP,SPB,SPA17N80C3SPB17N80C3
Anwendung:-
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SPB17N80C3
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2
Serie CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max) 227W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen SP000013370
SPB17N80C3ATMA1
SPB17N80C3INTR
SPB17N80C3T
SPB17N80C3XT
SPB17N80C3XTINTR
SPB17N80C3XTINTR-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 8 Weeks
Hersteller-Teilenummer SPB17N80C3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 177nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Expanded Beschreibung N-Channel 800V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)

Andere

Andere Namen SP000013370

SPB17N80C3ATMA1

SPB17N80C3INTR

SPB17N80C3T

SPB17N80C3XT

SPB17N80C3XTINTR

SPB17N80C3XTINTR-ND
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