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SPU11N10
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-SPU11N10 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | SPU11N10 |
| Hersteller / Marke: | Infineon Technologies |
| Kurze Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | SPD,SPU11N10 |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
SPU11N10
Auf Lager: 18753 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 21µA |
|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | P-TO251-3 |
| Serie | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 50W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere Namen | SP000013848 SPU11N10X |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | SPU11N10 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 100V 10.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole P-TO251-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10.5A (Tc) |
Andere
| Standardpaket | 1,500 |
|---|---|
| Andere Namen | SP000013848 SPU11N10X |
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