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BS2100F-E2
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-BS2100F-E2 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | BS2100F-E2 |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | IC DVR IGBT/MOSFET |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | BS2100F |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
BS2100F-E2
Auf Lager: 89921000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannungsversorgung | 10 V ~ 18 V |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 200ns, 100ns |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Andere Namen | BS2100F-E2TR |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | BS2100F-E2 |
| Logikspannung - VIL, VIH | 1V, 2.6V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 600V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Expanded Beschreibung | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Beschreibung | IC DVR IGBT/MOSFET |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 60mA, 130mA |
| Ladestrom | Independent |
Andere
| Standardpaket | 2,500 |
|---|---|
| Andere Namen | BS2100F-E2TR |
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