BSM300D12P2E001

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BSM300D12P2E001

EXSHINE Artikelnummer:EX-BSM300D12P2E001
Hersteller Artikelnummer:BSM300D12P2E001
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:BSM300D12P2E001
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
BSM300D12P2E001
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 68mA
Supplier Device-Gehäuse Module
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Leistung - max 1875W
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
Hersteller-Teilenummer BSM300D12P2E001
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 35000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Typ FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal Standard
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A 1875W Chassis Mount Module
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Beschreibung MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300A

Andere

Standardpaket 4

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