DTA114ESATP

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DTA114ESATP

EXSHINE Artikelnummer:EX-DTA114ESATP
Hersteller Artikelnummer:DTA114ESATP
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:DTA114Ex(A)
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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DTA114ESATP
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse SPT
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 10k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 10k
Leistung - max 300mW
Verpackung Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer DTA114ESATP
Frequenz - Übergang 250MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50mA

Andere

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