DTA115EUAT106

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DTA115EUAT106

EXSHINE Artikelnummer:EX-DTA115EUAT106
Hersteller Artikelnummer:DTA115EUAT106
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:DTA115E Series
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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DTA115EUAT106
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse UMT3
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 100k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 100k
Leistung - max 200mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323
Andere Namen DTA115EUAT106-ND
DTA115EUAT106TR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer DTA115EUAT106
Frequenz - Übergang 250MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20mA

Andere

Standardpaket 3,000
Andere Namen DTA115EUAT106-ND

DTA115EUAT106TR

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