DTA123JCAT116

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DTA123JCAT116

EXSHINE Artikelnummer:EX-DTA123JCAT116
Hersteller Artikelnummer:DTA123JCAT116
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:DTA123JCA
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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DTA123JCAT116
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse SST3
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Leistung - max 200mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen DTA123JCAT116TR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer DTA123JCAT116
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 100mA 200mW Surface Mount SST3
Beschreibung PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Andere

Andere Namen DTA123JCAT116TR
Standardpaket 3,000

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