DTC123JSATP

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DTC123JSATP

EXSHINE Artikelnummer:EX-DTC123JSATP
Hersteller Artikelnummer:DTC123JSATP
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:DTC123Jx(A)
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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DTC123JSATP
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse SPT
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Leistung - max 300mW
Verpackung Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer DTC123JSATP
Frequenz - Übergang 250MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Andere

Standardpaket 5,000

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