DTC314TUT106

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DTC314TUT106

EXSHINE Artikelnummer:EX-DTC314TUT106
Hersteller Artikelnummer:DTC314TUT106
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:1
Datenblatt herunterladen:DTC314TU/TK
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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DTC314TUT106
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 15V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse UMT3
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) -
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 10k
Leistung - max 200mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323
Andere Namen DTC314TUT106-ND
DTC314TUT106TR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer DTC314TUT106
Frequenz - Übergang 200MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 15V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600mA

Andere

Andere Namen DTC314TUT106-ND

DTC314TUT106TR
Standardpaket 3,000

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