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DTDG14GPT100
| EXSHINE Artikelnummer: | EX-DTDG14GPT100 |
|---|---|
| Hersteller Artikelnummer: | DTDG14GPT100 |
| Hersteller / Marke: | LAPIS Semiconductor |
| Kurze Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3 |
| Bleifreier Status / RoHS Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Bedingung: | New and unused, Original |
| Datenblatt herunterladen: | DTDG14GP |
| Anwendung: | - |
| Gewicht: | - |
| Alternativer Ersatz: | - |
Echtzeitverfügbarkeit für
DTDG14GPT100
Auf Lager: 90505000 PCs können in 1-2 Tagen versendet werden.
Zukünftiger Bestand: 12000 Stück in 7-10 Tagen.
Vorlaufzeit des Herstellers: 8-10 Wochen
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- Beschreibung
- Zahlung
- Versand
- Verpackung
Produktparameter
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 60V |
|---|---|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 500mA |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | MPT3 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) | 10k |
| Widerstand - Base (R1) (Ohm) | - |
| Leistung - max | 2W |
| Verpackung | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse | TO-243AA |
| Andere Namen | DTDG14GPT100DKR |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer | DTDG14GPT100 |
| Frequenz - Übergang | 80MHz |
| Expanded Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60V 1A 80MHz 2W Surface Mount MPT3 |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 300 @ 500mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |
Andere
| Standardpaket | 1 |
|---|---|
| Andere Namen | DTDG14GPT100DKR |
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Distributor von Rohm Semiconductor
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