EM6K6T2R

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EM6K6T2R

EXSHINE Artikelnummer:EX-EM6K6T2R
Hersteller Artikelnummer:EM6K6T2R
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EM6K6
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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EM6K6T2R
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Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse EMT6
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 300mA, 4V
Leistung - max 150mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen EM6K6T2RTR
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer EM6K6T2R
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Typ FET 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate
Expanded Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 300mA 150mW Surface Mount EMT6
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300mA

Andere

Andere Namen EM6K6T2RTR
Standardpaket 8,000

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