EMA4T2R

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EMA4T2R

EXSHINE Artikelnummer:EX-EMA4T2R
Hersteller Artikelnummer:EMA4T2R
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EMA4, UMA4N, FMA4A
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
Echtzeitverfügbarkeit für
EMA4T2R
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse EMT5
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) -
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 10k
Leistung - max 150mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer EMA4T2R
Frequenz - Übergang 250MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Andere

Standardpaket 8,000

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