EMA8T2R

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EMA8T2R

EXSHINE Artikelnummer:EX-EMA8T2R
Hersteller Artikelnummer:EMA8T2R
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EMA8, UMA8N, FMA8A
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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EMA8T2R
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse EMT5
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 10k
Leistung - max 300mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Andere Namen EMA8T2RTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer EMA8T2R
Frequenz - Übergang -
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount EMT5
Beschreibung TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Andere

Standardpaket 8,000
Andere Namen EMA8T2RTR

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