EMB3T2R

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EMB3T2R

EXSHINE Artikelnummer:EX-EMB3T2R
Hersteller Artikelnummer:EMB3T2R
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EMB3, UMB3N, IMB3A
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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EMB3T2R
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 5mA
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse EMT6
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) -
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Leistung - max 150mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen EMB3T2R-ND
EMB3T2RTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks
Hersteller-Teilenummer EMB3T2R
Frequenz - Übergang 250MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Andere

Standardpaket 8,000
Andere Namen EMB3T2R-ND

EMB3T2RTR

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