EMF8T2R

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EMF8T2R

EXSHINE Artikelnummer:EX-EMF8T2R
Hersteller Artikelnummer:EMF8T2R
Hersteller / Marke:LAPIS Semiconductor
Kurze Beschreibung:TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Bleifreier Status / RoHS Status:Bleifrei / RoHS-konform
Bedingung:New and unused, Original
Datenblatt herunterladen:EMF8
Anwendung:-
Gewicht:-
Alternativer Ersatz:-
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EMF8T2R
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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V, 12V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor-Typ 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Supplier Device-Gehäuse EMT6
Serie -
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) 47k
Leistung - max 150mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer EMF8T2R
Frequenz - Übergang 250MHz, 320MHz
Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
Beschreibung TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA, 500mA

Andere

Standardpaket 8,000

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